2026-06-22

芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"

芯联集成（688469.SH）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工艺平台，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。

此次3300V SiC器件的发布，是芯联集成长期研发投入与系统代工能力在AI基础设施电源这一高成长赛道的集中体现，也标志着公司在高压宽禁带半导体领域实现又一关键突破，填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白。

该产品基于8英寸产线自研高压平面栅SiC MOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值（RDS(on)×QG），实现了卓越的导通与开关性能。